Ring Groove SiC Wafer Chuck—环槽碳化硅晶圆卡盘

环槽式碳化硅（Ring-Groove SiC）晶圆卡盘是面向高温、高功率制程与极限重复性需求的一种工程化夹持方案。采用碳化硅材料并在接触面设计环形槽道，可同时解决热管理、受力均匀性和颗粒污染三大痛点，提高良率与设备稳定性。

材料与优势

碳化硅（SiC）兼具高热导、低热膨胀和高刚性，适用于外延生长、退火、扩散与功率器件制程中的高温工况。与常规金属或氧化铝陶瓷相比，SiC 在热循环后变形小、耐磨损、化学稳定性好，能显著降低晶圆翘曲与热应力不均问题

环槽设计原理

环槽（Ring-Groove）通过在卡盘接触面布置同心环形槽道，优化真空/静电通道路径与接触压力分布。设计要点包括：

• 环槽位置与宽深比按晶圆尺寸与夹持方式匹配，避免边缘应力集中；

• 真空通道与排气口布局应保证整个晶圆受力均匀且易于脱附；

• 在高温工况下，环槽有助于热流分布均匀、减少局部过热。

加工与制造要点

SiC 为硬脆材料，加工需采用金刚石刀具或精密磨削工艺，注意点包括：

• 粗精加工分步进行以降低残余应力；

• 表面粗糙度与平面度按工艺要求定制（示例指标：平面度可达0.01 mm 级，表面粗糙度 Ra0.1µm 以下，具体按设备/工艺调整）；

• 加工后需做严格清洗（超声、去离子水、必要时化学处理）以及热循环稳定性测试。

典型应用场景

环槽式碳化硅卡盘适用于外延（Epi）工艺、CMP 前后夹持、高温退火与功率器件制程平台，尤其在需要长时间高温稳定夹持且对翘曲敏感的场合效果显著，为高温与高精度制程提供了稳定、可重复的夹持基础。

环槽碳化硅晶圆卡盘制造商

环槽式碳化硅（Ring-Groove SiC）晶圆卡盘结合 SiC 的高热导与低热膨胀特性，通过同心环槽优化真空路径与受力分布，显著降低晶圆翘曲并提升高温制程重复性。适配外延（EPI）、退火与功率器件制程，支持定制化环槽几何与真空通道布局，欢迎索取技术参数表或预约样件测试。

联系电话：19527497983