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大尺寸气浮碳化硅陶瓷导轨是什么？
大尺寸气浮碳化硅（SiC）陶瓷导轨是用高刚性、高硬度的硅化物陶瓷制成的线性导轨或平面基座，配合气体静压/气体动压（气浮）轴承工作，形成微米级甚至亚微米的无接触运动平台，常用于超高精度运动与定位系统（如光刻、检测与精密量测等）
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组成和结构
材料类型：常见为 sintered SiC（致密烧结 SiC）、silicon-infiltrated SiC (SiSiC) 或 reaction-bonded SiC (RB-SiC)。不同制法影响密度、强度、热特性与表面可加工性。
导轨形态：可做为长直导轨、宽平面光学平台或带微槽/孔的气浮面（用于分布气膜与节流）。
气浮要素：气膜由导轨表面的精密孔/槽或外部节流器（或多孔陶瓷限制器）产生；气源、预压力与节流设计决定气膜刚性与承载能力。
辅助结构：通常会有金属嵌件（螺纹/定位销）、金属化界面或粘接面以便安装/对准。
为什么用碳化硅？
高刚性、高模量：静态/动态刚性好，能提高共振频率与响应速度。
高硬度，耐磨损：气浮场合虽无接触，但长期使用与意外接触时耐损伤。
热稳定性好：SiC 热导率与热膨胀特性优于普通陶瓷，利于维持定位稳定。
化学惰性、真空兼容：适合洁净室或高/超高真空（依据材料等级与后处理）。
可实现大尺寸致密件：相比单晶材料更容易做大块结构（但加工成本高）
典型应用场景
光刻机/步进台的长行程无摩擦导轨
高精度平面扫描台、测量台（CMM、干涉测量）
半导体检测与搬运系统中的无尘移动平台
大型精密对准/拼接台与天文/光学平台
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