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氮化铝陶瓷零件
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产品名称

氮化铝陶瓷零件

加工精度 0.01mm
是否定制 可按图纸定制
粗糙度 0.01μm
材料成分 氮化铝陶瓷
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氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷具有高热导率、高强度、高电阻率、密度小、低介电常数、无毒、以及与Si相匹配的热膨胀系数等优异性能,将逐步取代传统大功率LED基板材料,成为今后最具发展前途的一种陶瓷基板材料。一般来说,LED发光效率和使用寿命会随结温的增加而下降,当结温达到125℃以上时,LED甚至会出现失效。为使LED结温保持在较低温度下,必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺,以降低LED总体的封装热阻。

氮化铝陶瓷

精密氮化硅陶瓷

   氮化铝陶瓷综合性能优良,理论热导率为320W/(m),具有优良的热传导性,可靠的电绝缘性,低介电常数和损耗,无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数。 利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。

 

 

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