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氮化铝AlN陶瓷薄膜

文章出处:http://www.jundro.cn/taocigongyi_/473.html人气:212时间:2020-12-23

  氮化铝AIN陶瓷结构和成份主要是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。钧杰陶瓷专业生产氧化铝、氧化钛、氧化锆、碳化硅特种陶瓷件.公司以高起点、高质量为标准、严格的选材和生产工艺的标准化,保证了产品质量的稳定,产品广泛用于纺织、电子、电器、机械、航空、航天等领域.想进一步了解我们的产品,可以直接来我们公司进行更深一步的了解。咨询钧杰陶瓷联系电话:134 128 56568。

氮化铝陶瓷加工

化学组成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的极热。

此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。
 
性能:AIN陶瓷的性能与制备工艺有关。 如热压烧结AIN陶瓷,其密度为3 .2一3 .3g/cm3,抗弯强度350一400 MPa(高强型900 MPa),弹性模量310 GPa,热导率20-30W.m(-1).K(-1),热膨胀系数5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。机械加工性和抗氧化性良好。
 
应用:氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。 利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。由于AIN陶瓷具有高导热、高绝缘性,可作为半导体的基体材料,其热阻与氧化被陶瓷相当,比氧化铝陶瓷低很多,可用作散热片、半导体器件的绝缘热基片,提高基片材料散热能力和封装密度,可用于双列直插式封装、扁平封装氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。

氮化铝陶瓷加工

氮化铝AlN陶瓷一般指高温共烧陶瓷,具有六方纤锌矿结构的共价晶体,导热率高,热  膨胀系数与Si和GaAs匹配。介电常数,介质损耗、介电强度优良,机械性能好,抗折强度高,可以常压在1600°C烧结,是一种高功率集成电路基片的 未来使用材料。
 
氮化铝AlN产品、HTCC高温共烧陶瓷HTCC高温共烧陶瓷元器件与氮化铝AlN产品都是指产品的烧结化温度达至1,600°C或以上。HTCC高温共烧陶瓷元器件与氮化铝AlN产品因膜厚关系,流延膜的干燥时间必须较长。因此必须使用水平式流延机,配合可调式温度和风量设置。此外,由于烧结温度较高,必须使用钼板作为承烧板及钨浆作为电极材料。工艺技术难度水平要求比一般低温烧结产品为高。高温烧结炉大部份需要还原气氛,所以炉价非常高昂,工序更为繁复,烧结后的产品更加需要推板炉作整平处理。

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