随着半导体制造制程节点不断推进至5nm乃至2nm,晶圆检测(Wafer Inspection)设备在晶圆品质控制与良率提升中扮演着核心角色。检测设备需在极高精度、超洁净与稳定的条件下运行,任何微小的颗粒、热漂移或机械振动都可能造成检测误差。因此,设备中结
环槽式碳化硅(Ring-Groove SiC)晶圆卡盘是面向高温、高功率制程与极限重复性需求的一种工程化夹持方案。采用碳化硅材料并在接触面设计环形槽道,可同时解决热管理、受力均匀性和颗粒污染三大痛点,提高良率与设备稳定性。 材料与优势 碳化硅(SiC)兼具高热导、低热